硬氪获悉,浙江六方半导体有限公司(简称“六方半导体”)近期完成了C1轮股权融资,金额超过1亿元人民币,本轮融资由北京仓廪资本和诸暨产业投资集团有限公司共同出资。
六方半导体于2018年成立,主营半导体新材料的研发与制造,业务涵盖半导体长晶、外延、刻蚀等多个核心工艺阶段,为客户提供关键材料及精密零部件解决方案。
公司掌握了CVD-SiC碳化硅材料合成核心技术,并基于这一技术推出了导流桶、单晶硅外延托盘、LED芯片外延托盘、SiC聚焦环等产品,覆盖半导体产业链的多个环节。
在碳化硅长晶原料制备方面,六方半导体采用气相法生产高纯碳化硅粉料,具有高纯度、高密度、低氮含量等特性。目前,公司产品的性能已能与海外同类产品匹敌,并逐步进入国内主流长晶厂商的供应链。此外,基于CVD-SiC核心技术,公司正在拓展高纯SiC材料在光学、芯片散热、异构集成等领域的应用。
六方半导体成立初期专注于碳化硅涂层芯片外延托盘的国产替代。经过持续研发,公司掌握了CVD-SiC涂层的量产设备及工艺核心技术,实现了碳化硅涂层芯片外延托盘的国产化替代。
在此基础上,公司进一步突破了整体SiC材料的生长制备及加工技术。整体SiC材料是半导体领域多种核心零部件的基础材料,包括刻蚀工艺所需的聚焦环、RTP设备所需的边缘环等。
(图源/企业)
随着3D NAND向300层以上发展,刻蚀工艺所需的步骤数从50步增加到100步以上。AI算力芯片的扩产进一步拉动了刻蚀设备的装机量,作为刻蚀设备的核心耗材,CVD-SiC刻蚀环的需求随之大幅增长。目前,国内CVD-SiC聚焦环的国产化率不足15%,而7纳米以下先进制程所需的聚焦环国产化率甚至低于5%。
六方半导体创始人何少龙博士牵头承担了“大尺寸超高纯碳化硅制备关键技术”国家重点研发计划,针对CVD-SiC快速沉积的科学问题以及高硬脆材料的高效加工技术难题展开科研攻关,最终实现了国产替代和产业化。
公司创始人何少龙博士毕业于浙江大学物理系,曾先后在日本广岛大学、国立材料研究所从事研究,回国后任职于中科院物理所、宁波材料所,专注于凝聚态物理研究,已在《Nature Materials》《Nature Communications》《Phys. Rev. Lett.》《PNAS》等国际期刊上发表30余篇学术论文,多次受邀在美国March Meeting、日本半导体年会、香山会议等国内外顶级学术会议上作特邀报告;目前担任国家重点研发计划首席科学家、浙江省级领军人才。
公司本轮融资所得资金将主要用于前沿新产品的研发及产能扩建,占地100亩的新厂房预计于2026年12月正式投产。
(图源/企业)
以下为创始人问答:
硬氪:接下来公司的前沿产品研发主要会投向哪些方向?
何少龙: 目前我们已经在拓展的方向,包括碳化硅材料在光学及芯片散热领域的应用。
碳化硅具有较高的折射率,在AR眼镜以及Meta lens等领域都有很高的应用价值。我们希望拓展碳化硅薄膜沉积技术,进一步延伸到光学领域的应用。
另一方面,碳化硅的热导率理论值最高可达500W/(m·K),是非常理想的散热材料,我们将拓展SiC材料在芯片散热领域的应用。
投资方观点
仓廪资本: 半导体核心材料与关键工艺零部件是国内半导体产业链实现自主可控的核心基石,也是硬科技领域长期具备高成长价值的黄金赛道。六方半导体团队多年来在材料领域的深度技术积累和扎实的产业化落地能力,具备突出的行业稀缺性。未来投资方将充分调动自身的产业资源网络,在客户对接、技术协同等方面为企业提供全方位赋能,助力企业快速成长为赛道内的核心领军企业。
诸暨产投: 本次投资是地方国有产业投资平台围绕半导体先进材料赛道的关键战略布局。后续将充分依托诸暨本地的产业配套优势与政策支持体系,为六方半导体新厂区落地建设、区域产业链生态对接提供全流程保障,推动企业在诸暨扎根发展,共同带动区域半导体新材料产业集群的成型与壮大。
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